The paper presents an innovative design concept for SOI lateral power devices that exploits the deep depletion of the substrate to dynamically increase the voltage rating ofSOI devices. Numerical simulations of the device and experimental results demonstrate that the proposed physical effect is a viable way to design a whole new class of lateral power devices.

DEEP DEPLETION SOI POWER DEVICES

NAPOLI, ETTORE
2006

Abstract

The paper presents an innovative design concept for SOI lateral power devices that exploits the deep depletion of the substrate to dynamically increase the voltage rating ofSOI devices. Numerical simulations of the device and experimental results demonstrate that the proposed physical effect is a viable way to design a whole new class of lateral power devices.
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