UniSa - IRIS Institutional Research Information System
IRIS è la soluzione IT che facilita la raccolta e la gestione dei dati relativi alle attività e ai prodotti della ricerca. Fornisce a ricercatori, amministratori e valutatori gli strumenti per monitorare i risultati della ricerca, aumentarne la visibilità e allocare in modo efficace le risorse disponibili.
EnglishUsing an original test structure we show by numerical simulations that the open circuit voltage decay (OCVD) method can be improved to obtain the spatial profile of the /spl tau//sub PO/, /spl tau//sub NO/ lifetime parameters along the epilayer of n-n+ wafers. The test structure consists of a surface diode including an additional n/sup +/ region, where the diode is used to inject minority carriers within the epilayer, the sense region allows one to measure the diode voltage without the series resistance effect, and finally a positive voltage applied to the n+ substrate is used to electrically control the epilayer volume where carriers recombine.
| Titolo: | A Novel Measurement Method of the Spatial Carrier Lifetime Profile Based on the OCVD Technique | |
| Autori: | ||
| Data di pubblicazione: | 2004 | |
| Handle: | http://hdl.handle.net/11386/1062932 | |
| ISBN: | 0780382625 9780780382626 | |
| Appare nelle tipologie: | 2.1.2 Articolo su libro con ISBN |
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http://hdl.handle.net/11386/1062932
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