A Novel Measurement Method of the Spatial Carrier Lifetime Profile Based on the OCVD Technique

Bellone, Salvatore; Licciardo, Gian Domenico; Neitzert, Heinrich Christoph

doi:10.1109/ICMTS.2004.1309311

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Using an original test structure we show by numerical simulations that the open circuit voltage decay (OCVD) method can be improved to obtain the spatial profile of the /spl tau//sub PO/, /spl tau//sub NO/ lifetime parameters along the epilayer of n-n+ wafers. The test structure consists of a surface diode including an additional n/sup +/ region, where the diode is used to inject minority carriers within the epilayer, the sense region allows one to measure the diode voltage without the series resistance effect, and finally a positive voltage applied to the n+ substrate is used to electrically control the epilayer volume where carriers recombine.

Titolo:	A Novel Measurement Method of the Spatial Carrier Lifetime Profile Based on the OCVD Technique
Autori:	BELLONE, Salvatore LICCIARDO, Gian Domenico NEITZERT, Heinrich Christoph
Data di pubblicazione:	2004
Handle:	http://hdl.handle.net/11386/1062932
ISBN:	0780382625 9780780382626
Appare nelle tipologie:	2.1.2 Articolo su libro con ISBN

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