Carrier-number fluctuations in the 2-dimensional electron gas at the LaAlO3/SrTiO3 interface

Barone, C.; Romeo, F.; Pagano, S.; Di Gennaro, E.; Miletto Granozio, F.; Pallecchi, I.; Marrè, D.; Scotti di Uccio, U.

doi:10.1063/1.4838637

The voltage-spectral density SV(f) of the 2-dimensional electron gas formed at the interface of LaAlO3/SrTiO3 has been thoroughly investigated. The low-frequency component has a clear 1/f behavior with a quadratic bias current dependence, attributed to resistance fluctuations. However, its temperature dependence is inconsistent with the classical Hooge model, based on carrier-mobility fluctuations. The experimental results are, instead, explained in terms of carrier-number fluctuations, due to an excitation-trapping mechanism of the 2-dimensional electron gas.

Titolo:	Carrier-number fluctuations in the 2-dimensional electron gas at the LaAlO3/SrTiO3 interface
Autori:	BARONE, CARLO [Writing – Original Draft Preparation] (Corresponding) ROMEO, FRANCESCO [Formal Analysis] PAGANO, Sergio [Writing – Original Draft Preparation] Di Gennaro E. [Investigation] Miletto Granozio F. [Writing – Review & Editing] Pallecchi I. [Investigation] Marrè D. [Membro del Collaboration Group] Scotti di Uccio U. [Writing – Review & Editing] mostra contributor esterni nascondi contributor esterni
Data di pubblicazione:	2013
Rivista:	APPLIED PHYSICS LETTERS
Handle:	http://hdl.handle.net/11386/4228457
Appare nelle tipologie:	1.1.2 Articolo su rivista con ISSN

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