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A new analytical model of the 4H-SiC DMOSFET is proposed that is capable to predict the forward operation of the device in a wide range of temperature, by including in its DC current-voltage characteristics the effects of the parasitic resistances, of the insulator-semiconductor interface traps on the threshold voltage and channel mobility, as well as their temperature dependences. The accuracy of the model has been verified by comparisons with numerical simulations using interface trap density varying in the range [0; 1014]cm-2 eV-1 and a temperature operation up to 500K. Comparisons with experimental data taken on 1.2kV commercial devices validate the model.
Modelling the I-V-T characteristics of 4H-SiC DMOSFET in presence of SiO2/SiC interface traps and fixed oxide
A new analytical model of the 4H-SiC DMOSFET is proposed that is capable to predict the forward operation of the device in a wide range of temperature, by including in its DC current-voltage characteristics the effects of the parasitic resistances, of the insulator-semiconductor interface traps on the threshold voltage and channel mobility, as well as their temperature dependences. The accuracy of the model has been verified by comparisons with numerical simulations using interface trap density varying in the range [0; 1014]cm-2 eV-1 and a temperature operation up to 500K. Comparisons with experimental data taken on 1.2kV commercial devices validate the model.
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Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: http://hdl.handle.net/11386/4679465
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simulazione ASN
Il report seguente simula gli indicatori relativi alla propria produzione scientifica in relazione alle soglie ASN 2021-2023 del proprio SC/SSD. Si ricorda che il superamento dei valori soglia (almeno 2 su 3) è requisito necessario ma non sufficiente al conseguimento dell'abilitazione. La simulazione si basa sui dati IRIS e sugli indicatori bibliometrici alla data indicata e non tiene conto di eventuali periodi di congedo obbligatorio, che in sede di domanda ASN danno diritto a incrementi percentuali dei valori. La simulazione può differire dall'esito di un’eventuale domanda ASN sia per errori di catalogazione e/o dati mancanti in IRIS, sia per la variabilità dei dati bibliometrici nel tempo. Si consideri che Anvur calcola i valori degli indicatori all'ultima data utile per la presentazione delle domande.
La presente simulazione è stata realizzata sulla base delle specifiche raccolte sul tavolo ER del Focus Group IRIS coordinato dall’Università di Modena e Reggio Emilia e delle regole riportate nel DM 589/2018 e allegata Tabella A. Cineca, l’Università di Modena e Reggio Emilia e il Focus Group IRIS non si assumono alcuna responsabilità in merito all’uso che il diretto interessato o terzi faranno della simulazione. Si specifica inoltre che la simulazione contiene calcoli effettuati con dati e algoritmi di pubblico dominio e deve quindi essere considerata come un mero ausilio al calcolo svolgibile manualmente o con strumenti equivalenti.
