We present the electrical characterization of mono and bilayer MoS2 back-gate field-effect transistors with ohmic or Schottky contacts. We investigate features such as persistent photoconductivity, hysteresis and field emission.

Persistent Photoconductivity, Hysteresis and Field Emission in MoS2 Back-Gate Field-Effect Transistors

Di Bartolomeo, Antonio
Writing – Original Draft Preparation
;
IEMMO, LAURA;Giubileo, Filippo;LUONGO, GIUSEPPE;URBAN, FRANCESCA;GRILLO, ALESSANDRO
2019-01-01

Abstract

We present the electrical characterization of mono and bilayer MoS2 back-gate field-effect transistors with ohmic or Schottky contacts. We investigate features such as persistent photoconductivity, hysteresis and field emission.
2019
978-1-5386-1016-9
File in questo prodotto:
Non ci sono file associati a questo prodotto.

I documenti in IRIS sono protetti da copyright e tutti i diritti sono riservati, salvo diversa indicazione.

Utilizza questo identificativo per citare o creare un link a questo documento: https://hdl.handle.net/11386/4718067
 Attenzione

Attenzione! I dati visualizzati non sono stati sottoposti a validazione da parte dell'ateneo

Citazioni
  • ???jsp.display-item.citation.pmc??? ND
  • Scopus 6
  • ???jsp.display-item.citation.isi??? 5
social impact