Rinaldi, Nicola
Rinaldi, Nicola
Dipartimento di Ingegneria Industriale/DIIN
A 4H-SiC CMOS Oscillator-Based Temperature Sensor Operating from 298 K up to 573 K
2023 Rinaldi, N.; Liguori, R.; May, A.; Rossi, C.; Rommel, M.; Rubino, A.; Licciardo, G. D.; Di Benedetto, L.
A 4H-SiC CMOS SPICE Level 3 Model for Circuit Simulations
2024 Rinaldi, N.; May, A.; Rommel, M.; Liguori, R.; Rubino, A.; Licciardo, G. D.; Di Benedetto, L.
A 4H-SiC NMOSFET-Based Temperature Sensor Operating Between 14 K and 481 K
2024 Rinaldi, Nicola; May, Alexander; Rommel, Mathias; Liguori, Rosalba; Rubino, Alfredo; Licciardo, Gian Domenico; Di Benedetto, Luigi
A DC SPICE Level 3 Model for 4H-SiC lateral NMOSFET under strong inversion conditions
2023 Rinaldi, N.; Licciardo, G. D.; Di Benedetto, L.; Rommel, M.; Erlbacher, T.
Analysis of a 4H-SiC Lateral PMOSFET Temperature Sensor Between 14 K–482 K
2025 Rinaldi, N.; Rommel, M.; May, A.; Liguori, R.; Rubino, A.; Licciardo, G. D.; Di Benedetto, L.
Anomalous I-V Characteristics of 4H-SiC p-i-n Diode at Cryogenic Temperature
2025 Rinaldi, N.; Di Benedetto, L.; Licciardo, G. D.; Liguori, R.; Rubino, A.
Design and Analysis of a Voltage Schmitt Trigger in 4H-SiC CMOS Technology
2024 Rinaldi, N.; Liguori, R.; Rubino, A.; Licciardo, G. D.; Di Benedetto, L.
Performance and Understanding of 4H-SiC Electron Devices at Low Temperature Range
2024 Di Benedetto, L.; Rinaldi, N.; Licciardo, G. D.; Liguori, R.; Rubino, A.; May, A.; Rommel, M.
| Titolo | Data di pubblicazione | Autore(i) | File |
|---|---|---|---|
| A 4H-SiC CMOS Oscillator-Based Temperature Sensor Operating from 298 K up to 573 K | 1-gen-2023 | Rinaldi, N.; Liguori, R.; May, A.; Rossi, C.; Rommel, M.; Rubino, A.; Licciardo, G. D.; Di Benedetto, L. | |
| A 4H-SiC CMOS SPICE Level 3 Model for Circuit Simulations | 1-gen-2024 | Rinaldi, N.; May, A.; Rommel, M.; Liguori, R.; Rubino, A.; Licciardo, G. D.; Di Benedetto, L. | |
| A 4H-SiC NMOSFET-Based Temperature Sensor Operating Between 14 K and 481 K | 1-gen-2024 | Rinaldi, Nicola; May, Alexander; Rommel, Mathias; Liguori, Rosalba; Rubino, Alfredo; Licciardo, Gian Domenico; Di Benedetto, Luigi | |
| A DC SPICE Level 3 Model for 4H-SiC lateral NMOSFET under strong inversion conditions | 1-gen-2023 | Rinaldi, N.; Licciardo, G. D.; Di Benedetto, L.; Rommel, M.; Erlbacher, T. | |
| Analysis of a 4H-SiC Lateral PMOSFET Temperature Sensor Between 14 K–482 K | 1-gen-2025 | Rinaldi, N.; Rommel, M.; May, A.; Liguori, R.; Rubino, A.; Licciardo, G. D.; Di Benedetto, L. | |
| Anomalous I-V Characteristics of 4H-SiC p-i-n Diode at Cryogenic Temperature | 1-gen-2025 | Rinaldi, N.; Di Benedetto, L.; Licciardo, G. D.; Liguori, R.; Rubino, A. | |
| Design and Analysis of a Voltage Schmitt Trigger in 4H-SiC CMOS Technology | 1-gen-2024 | Rinaldi, N.; Liguori, R.; Rubino, A.; Licciardo, G. D.; Di Benedetto, L. | |
| Performance and Understanding of 4H-SiC Electron Devices at Low Temperature Range | 1-gen-2024 | Di Benedetto, L.; Rinaldi, N.; Licciardo, G. D.; Liguori, R.; Rubino, A.; May, A.; Rommel, M. |