Rinaldi, Nicola
 Distribuzione geografica
Continente #
EU - Europa 110
AS - Asia 93
NA - Nord America 69
SA - Sud America 23
AF - Africa 1
Totale 296
Nazione #
US - Stati Uniti d'America 65
IT - Italia 49
SG - Singapore 38
DE - Germania 31
HK - Hong Kong 23
BR - Brasile 21
CN - Cina 21
RU - Federazione Russa 17
AT - Austria 4
MX - Messico 3
NL - Olanda 3
BD - Bangladesh 2
ES - Italia 2
FI - Finlandia 2
VN - Vietnam 2
AR - Argentina 1
CH - Svizzera 1
DO - Repubblica Dominicana 1
IQ - Iraq 1
JO - Giordania 1
KR - Corea 1
KZ - Kazakistan 1
PL - Polonia 1
PS - Palestinian Territory 1
SA - Arabia Saudita 1
TR - Turchia 1
VE - Venezuela 1
ZA - Sudafrica 1
Totale 296
Città #
Dallas 32
Hong Kong 23
Naples 10
Singapore 10
Fisciano 9
Nuremberg 9
Salerno 9
Beijing 5
Ashburn 4
Cagliari 4
Moscow 4
New York 3
Sarno 3
Vienna 3
Brasília 2
Columbus 2
Los Angeles 2
Mascalucia 2
Milan 2
Rio de Janeiro 2
San Valentino Torio 2
São Paulo 2
Amman 1
Amsterdam 1
Ankara 1
Baghdad 1
Barra do Piraí 1
Belo Horizonte 1
Bisceglie 1
Brooklyn 1
Camaçari 1
Chicago 1
Cuautitlán Izcalli 1
Dhaka 1
General Escobedo 1
Helsinki 1
Ipatinga 1
Johannesburg 1
Lappeenranta 1
Lehigh Acres 1
Miami 1
Nova Friburgo 1
Olímpia 1
Oral 1
Paulista 1
Phoenix 1
Pinheiro 1
Quận Một 1
Ramallah 1
Riyadh 1
Salvador 1
San Diego 1
San Jose 1
Santa Clara 1
Santana de Parnaíba 1
Santiago de los Caballeros 1
Seoul 1
Somma Vesuviana 1
St Louis 1
Stockton 1
São José dos Campos 1
The Dalles 1
Três Marias 1
Tân Phú Hai 1
Uberlândia 1
Ubá 1
Uruburetama 1
Villa Regina 1
Warsaw 1
Whitehall 1
Yubileyny 1
Totale 193
Nome #
A 4H-SiC CMOS SPICE Level 3 Model for Circuit Simulations 57
A 4H-SiC NMOSFET-Based Temperature Sensor Operating Between 14 K and 481 K 43
A 4H-SiC CMOS Oscillator-Based Temperature Sensor Operating from 298 K up to 573 K 42
Design and Analysis of a Voltage Schmitt Trigger in 4H-SiC CMOS Technology 40
A DC SPICE Level 3 Model for 4H-SiC lateral NMOSFET under strong inversion conditions 39
Anomalous I-V Characteristics of 4H-SiC p-i-n Diode at Cryogenic Temperature 38
Analysis of a 4H-SiC Lateral PMOSFET Temperature Sensor Between 14 K–482 K 26
Performance and Understanding of 4H-SiC Electron Devices at Low Temperature Range 23
Totale 308
Categoria #
all - tutte 1.497
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book - libri 0
conference - conferenze 0
curatela - curatele 0
other - altro 0
patent - brevetti 0
selected - selezionate 0
volume - volumi 0
Totale 1.497


Totale Lug Ago Sett Ott Nov Dic Gen Feb Mar Apr Mag Giu
2023/202429 0 0 4 0 0 1 9 3 1 4 5 2
2024/2025174 1 2 4 11 9 7 43 24 22 7 15 29
2025/2026105 21 26 47 11 0 0 0 0 0 0 0 0
Totale 308